• テクニカルデータ
  測定範囲：250～1300°C
  検出素子：InGaAs
  測定波長：1.6μｍ
  測定精度：±1％　ε＝10
  再現(xiàn)性：±1°C+1digit
  分解能：1°C
  測定値表示部：LED文字高14.6mm
  設(shè)定値表示部：LED文字高10.1mm
  応答速度：0.01sec
  放射率設(shè)定範囲：0.050～1.200
  設(shè)定方法：前面パネルキー操作
  アナログ出力：DC　0～10Ｖ/4～20mmA　負荷抵抗500Ω以下
  アラーム出力：リレー出力　Hi、Lo　a接點　ＡＣ250Ｖ　8A、ＤＣ30Ｖ5A
  通

高溫測定：*高3000℃までの溫度測定が可能。(機種によって測定レンジが異なります。)
ガラス越し：透明なガラス越しの溫度測定が可能。(インジウム?シリコン素子タイプのみ)
高輝度LED：ターゲットビームランプに視認性の高い輝度LEDを採用。
パターンメモリー：放射率、アラームHi/Loを10パターンメモリー可能。設(shè)定パターンを呼び出し設(shè)定を変更することも可能。
選べる検出素子：検出素子はサーモパイル、インジウム、シリコンから選択可能。